SiC (Siliciumcarbid) besteht zu 29,8 Gew.-% aus Kohlenstoff und 70,2 Gew.-% aus Silicium. Seine Dichte beträgt 3,214g/cm³, und neben seiner Härte von 9,5 auf der Mohs-Skala zeichnet ihn auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus. SiC entsteht nach der folgenden Gleichung in reduzierender Atmosphäre:
SiO2 + 3C → SiC + 3 COGas
SiC kann nur synthetisch hergestellt werden im Acheson Verfahren.
